更新时间：2023-08-18
光侵入式热电制冷特点在2-14μm范围具有良好的性能；无须LN（液氮）制冷；快速响应；使用方便；与快速元器件*兼容；动态范围宽；小巧，耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计
光侵入式热电制冷简介：
PCI-2TE-n （n表示佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或过半球透镜（可选）进行光照入。这些设备在2～14µm范围内的任意值可以优化为高性能。他们的高性能和稳定性可以通过近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
光侵入式热电制冷技术规格
| 特性（@ 20ºC） | 单位 | LD-PCI-2TE-4 | LD-PCI-2TE-5 | LD-PCI-2TE-6 | LD-PCI-2TE-9 | LD-PCI-2TE-10.6 | LD-PCI-2TE-12 | |
| 特性波长λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 | 12 | |
| 探测率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >6E11 >4E10 | >4E10 >2E10 | >2E10 >1E10 | >1E10 >4E9 | >3.5E9 >1.4E9 | >1E9 >4.5E8 | |
| 响应度- atλop1x1 mm | Vmm/W | >6000 | >3000 | >600 | >40 | >25 | >15 | |
| 响应时间τ | ns | <4000 | <2000 | <1000 | <20 | <10 | <2 | |
| 1/f噪声拐点频率 | kHz | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | |
| 有效面积, (长×宽) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | ||||||
| 偏置电流-宽度比* | mA/mm | 0.05－0.3 | 0.1－0.5 | 0.3－0.8 | 2－5 | 5－20 | 5－20 | |
| 薄层电阻系数 | Ω/sqr | 600-1500 | 300-500 | 200-400 | 50-200 | 50-150 | 50-150 | |
| 视场, F# | deg | 35, 1.65 | ||||||
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